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產(chǎn)品中心

Product Center
  • FS系列Infineon英飛凌6U三相橋IGBT模塊型號齊全

    選擇IGBT模塊時,通常是先計算通過IGBT模塊的電流值,然后根據(jù)電力電子設備的特點,考慮到過載、電網(wǎng)波動、開關尖峰等因素考慮一倍的安全余量來選擇相應的IGBT模塊。但嚴格的選擇,應根據(jù)不同的應用情況,計算耗散功率,通過熱阻核算具最高結(jié)溫不超過規(guī)定值來選擇器件。通過最高結(jié)溫可選擇較小的IGBT模塊通過更大的電流,更加有效地利用IGBT模塊。Infineon英飛凌6U三相橋IGBT模塊型號齊全

    更新時間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號:FS系列
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  • FP系列全新正品英飛凌IGBT模塊整流+七單元半導體

    因為大多數(shù)IGBT模塊工作在交流電網(wǎng)通過單相或三相整流后的直流母線電壓下,所以,通常IGBT模塊的工作電壓,均對應于常用電網(wǎng)的電壓等級??紤]到過載,電網(wǎng)波動,開關過程引起的電壓尖峰等因素,通常電力電子設備選擇IGBT器件耐壓都是直流母線電壓的一倍。如果結(jié)構(gòu)、布線、吸收等設計比較好,就可以使用較低耐壓的IGBT模塊承受較高的直流母線電壓。全新正品英飛凌IGBT模塊整流+七單元半導體

    更新時間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號:FP系列
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  • FF系列英飛凌IGBT功率模塊半橋2單元可控硅晶閘管

    對于一個具體的應用來說,在選擇IGBT功率模塊時,需要考慮其在任何靜態(tài)、動態(tài)、過載(如短路)的運行情況下:器件耐壓;在實際的冷卻條件下,電流的承受力;合適的開關頻率;安全工作區(qū)(SOA)限制;最高運行限制;封裝尺寸等等。英飛凌IGBT功率模塊半橋2單元可控硅晶閘管

    更新時間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號:FF系列
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  • SKIIP EV/AN/GH 系列西門康模塊IGBT智能功率模塊賽米控元器件

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的“CPU”。西門康模塊IGBT智能功率模塊賽米控元器件 SKIIP 系列

    更新時間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號:SKIIP EV/AN/GH 系列
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  • SKIIP NEB系列德國SEMIKRON西門康IGBT功率模塊現(xiàn)貨供應

    IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點;非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。當前市場上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進,此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。德國SEMIKRON西門康IGBT功率模塊現(xiàn)貨供應

    更新時間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號:SKIIP NEB系列
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