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  • 功率模塊艾賽斯可控硅晶閘管1200/1400/1600
    功率模塊艾賽斯可控硅晶閘管1200/1400/1600

    可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設(shè)備,如果超過此功率,因元件開關(guān)損可控硅的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點運行,無火花、無噪音;...

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  • 美高森美場效應(yīng)管APT29F80J功率模塊MOS管
    美高森美場效應(yīng)管APT29F80J功率模塊MOS管

    MOS管導(dǎo)通特性,導(dǎo)通的意義是作為開關(guān),相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通,適宜用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動),只需柵極電壓抵達(dá)4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小...

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  • MSC025SMA120J美高森美MOS管場效應(yīng)管全新
    MSC025SMA120J美高森美MOS管場效應(yīng)管全新

    MOS管導(dǎo)通特性,導(dǎo)通的意義是作為開關(guān),相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通,適宜用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動),只需柵極電壓抵達(dá)4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小...

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  • 美高森美IGBT模塊APT150GN60JDQ4全新現(xiàn)貨
    美高森美IGBT模塊APT150GN60JDQ4全新現(xiàn)貨

    IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、...

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  • 美高森美IGBT模塊/APT200GN60J/功率模塊
    美高森美IGBT模塊/APT200GN60J/功率模塊

    IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、...

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  • 美高森美IGBT模塊/功率模塊/功率半導(dǎo)體模塊
    美高森美IGBT模塊/功率模塊/功率半導(dǎo)體模塊

    IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、...

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  • APT200GN60JDQ4 美高森美IGBT功率模塊現(xiàn)貨
    APT200GN60JDQ4 美高森美IGBT功率模塊現(xiàn)貨

    IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、...

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  • APT100GT120JU2 美高森美IGBT模塊功率模塊
    APT100GT120JU2 美高森美IGBT模塊功率模塊

    IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、...

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  • IXDN75N120艾賽斯IGBT模塊/晶閘管/功率模塊
    IXDN75N120艾賽斯IGBT模塊/晶閘管/功率模塊

    IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、...

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  • 肖特基快恢復(fù)二極管與整流器美高森美大功率
    肖特基快恢復(fù)二極管與整流器美高森美大功率

    注意事項:測正向?qū)▔航禃r,必須使用R×1檔。若用R×1k檔,因測試電流太小,遠(yuǎn)低于管子的正常工作電流,故測出的VF值將明顯偏低。在上面例子中,如果選擇R×1k檔測量,正...

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