可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設(shè)備,如果超過此功率,因元件開關(guān)損可控硅的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點運行,無火花、無噪音;...
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可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設(shè)備,如果超過此功率,因元件開關(guān)損可控硅的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍;反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷;無觸點運行,無火花、無噪音;...
查看詳情MOS管導(dǎo)通特性,導(dǎo)通的意義是作為開關(guān),相當(dāng)于開關(guān)閉合。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就會導(dǎo)通,適宜用于源極接地時的情況(低端驅(qū)動),只需柵極電壓抵達(dá)4V或10V就可以了。PMOS的特性,Vgs小...
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查看詳情IGBT是第三代功率模塊,工作頻率1-20khz,應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路,即dc/ac變換中。例電動汽車、UPS、開關(guān)電源等。問世有十年多歷史,幾乎已替代一切其它功率器件,例SCR、...
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查看詳情注意事項:測正向?qū)▔航禃r,必須使用R×1檔。若用R×1k檔,因測試電流太小,遠(yuǎn)低于管子的正常工作電流,故測出的VF值將明顯偏低。在上面例子中,如果選擇R×1k檔測量,正...
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