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Product Center當(dāng)前位置:首頁(yè)產(chǎn)品中心分立半導(dǎo)體模塊
MOS晶體管模塊GENESIC現(xiàn)貨供應(yīng),MOS,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
富士電機(jī)IGBT模塊已開(kāi)發(fā)用作電機(jī)變速驅(qū)動(dòng)器的功率轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)元件,不間斷電源等。IGBT是一種半導(dǎo)體器件,它將功率MOSFET的高速開(kāi)關(guān)性能與雙極晶體管的高電壓/高電流處理能力相結(jié)合。模塊 富士FUJI IGBT模塊 代理 原裝現(xiàn)貨
富士FUJI模塊現(xiàn)貨供應(yīng),絕緣柵雙極晶體管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)綜合了電力晶體管(Giant Transistor—GTR)和電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)的優(yōu)點(diǎn),具有良好的特性,應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛;IGBT也是三端器件:柵極,集電極和發(fā)射極。
分立二極管主要有三種封裝形式:軸向二極管、螺栓型以及平板型。按性能分雪崩型、快恢復(fù)型、標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù)型、(平板型)焊接二極管。晶閘管模塊ECOSEMITEK原廠原裝現(xiàn)貨供應(yīng)
晶體閘流管(Thyristor)又稱作可控硅整流器,曾被簡(jiǎn)稱為可控硅;1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出晶閘管產(chǎn)品,并于1958年使其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個(gè)極:陽(yáng)極,陰極和門(mén)極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管等。丹尼克斯模塊原裝正品現(xiàn)貨供應(yīng)