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產(chǎn)品中心

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  • GBD系列德國西門康IGBT功率模塊SKM200/300GBD齊全

    IGBT 在開通過程中,大部分時(shí)間是作為MOSFET 來運(yùn)行的,只是在漏源電壓Uds 下降過程后期, PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,又增加了一段延遲時(shí)間。td(on) 為開通延遲時(shí)間,tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時(shí)間ton 即為td (on) tri 之和,漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1 和tfe2 組成。德國西門康IGBT功率模塊SKM200/300GBD齊全

    更新時(shí)間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號(hào):GBD系列
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  • GAH系列西門康IGBT模塊SKM200GAH123/126半導(dǎo)體模塊

    賽米控提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封裝形式的IGBT模塊,支持不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、額定電流和電壓。這些IGBT模塊的電流范圍為4A至1400A,電壓級別為600V至1800V。可用于各種應(yīng)用,并采用多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),提供不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如CIB、半橋、H橋、三相全橋和三電平等。西門康IGBT模塊SKM200GAH123/126半導(dǎo)體模塊

    更新時(shí)間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號(hào):GAH系列
    瀏覽量:683
  • GD六單元6U德國西門康IGBT功率模塊六單元全新現(xiàn)貨

    IGBT動(dòng)態(tài)特性是 :IGBT 在開通過程中,大部分時(shí)間是作為MOSFET 來運(yùn)行的,只是在漏源電壓Uds 下降過程后期, PNP 晶體管由放大區(qū)至飽和,又增加了一段延遲時(shí)間。td(on) 為開通延遲時(shí)間,tri 為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電流開通時(shí)間ton 即為td (on) tri 之和。靜態(tài)特性有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特。6U德國西門康IGBT功率模塊六單元全新現(xiàn)貨

    更新時(shí)間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號(hào):GD六單元
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  • GAR單開關(guān)西門康模塊IGBT模塊斬波模塊(IGBT+二極管)

    IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷?,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。西門康模塊IGBT模塊斬波模塊(IGBT+二極管)

    更新時(shí)間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號(hào):GAR單開關(guān)
    瀏覽量:876
  • GAL單開關(guān)西門康IGBT模塊SKM電子元器件半導(dǎo)體全系列

    西門康IGBT驅(qū)動(dòng)板 包括三大類:Driver驅(qū)動(dòng)板、Driver Core驅(qū)動(dòng)芯、Adaptor Board適配板,適于驅(qū)動(dòng)600V、1200V、1700V三種電壓等級的IGBT模塊。IGBT模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn);西門康IGBT模塊SKM電子元器件半導(dǎo)體全系列

    更新時(shí)間:2024-06-24
    產(chǎn)品型號(hào):GAL單開關(guān)
    瀏覽量:693
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