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mos管在電路中一般用作電子開關(guān)，在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路，漏極原封不動地接負(fù)載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負(fù)載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負(fù)載電流。是理想的模擬開關(guān)器件。這就是MOS管做開關(guān)器件的原理。當(dāng)然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了。德國艾賽斯MOS管場效應(yīng)管模塊貼片大功率

IGBT最常見的應(yīng)用形式是模塊。大電流和大電壓環(huán)境多使用IGBT模塊，IHS數(shù)據(jù)顯示模塊和單管比例為3:1。而IPM是特殊的IGBT模塊，主要應(yīng)用于中小功率變頻系統(tǒng)。IGBT模塊主要有五種結(jié)構(gòu)。以2 in 1模塊為例，模塊中封裝了兩組芯片，根據(jù)電流或功率要求不同每組可并聯(lián)多顆IGBT芯片（ IGBT芯片與FRD一一對應(yīng)）英飛凌二極管IGBT模塊BYM600A/300B170DN2

在電動汽車的“三電”方面，TESLA的Model S使用的三相異步驅(qū)動電機(jī)，其中每一相的驅(qū)動控制需要使用28顆塑封的IGBT芯片，三相共需要使用84顆IGBT芯片。算算總量，就可知需求的龐大。此外，充電樁的核心部件也要用到IGBT芯片。英飛凌為國內(nèi)電動乘用車市場供應(yīng)62.8萬套IGBT模塊，市占率達(dá)到58%。英飛凌IGBT斬波模塊FD150R/FD200R/DF150R

由于系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的問題，有時驅(qū)動板不能直接焊在或是螺絲擰在IGBT上，而是通過線纜連接到IGBT的輔助端子。連同驅(qū)動電路本身的輸出雜散電感和IGBT內(nèi)部的柵極綁定線雜散電感一起，構(gòu)成了柵極回路電感Lg。它會顯著影響IGBT的開關(guān)性能，尤其是開通性能。IGBT模塊2U/6U全新正品Infineon英飛凌系列

IGBT開通性能而言，有兩個比較重要的表現(xiàn)指標(biāo)：一個是開通時橋臂電流的變化率di/dt，另一個是器件從關(guān)斷狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所產(chǎn)生的開通損耗。前者如果太高，續(xù)流二極管（FWD）也會有一個很快的反向恢復(fù)過程，這可能會導(dǎo)致反向恢復(fù)電流出現(xiàn)振蕩從而引起二極管的失效。后者是直接關(guān)系到IGBT的工作效率及其對散熱器的設(shè)計需求，這對成本控制和器件的可靠性非常有意義。1200V英飛凌 6單元IGBT模塊BSM半導(dǎo)體